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SI2308BDS-T1-GE3

Produktinformationen "SI2308BDS-T1-GE3"

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

- Vds = 60V
- Rdson= 0.156 Ohm at Vgs=10V
- ID = 2.3A
- Qg = 2.3nC
- APPLICATIONS: Battery Switch, DC/DC Converter

Datenblatt: SI2308DS.pdf