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BSP100

Produktinformationen "BSP100"

N-channel enhancement mode TrenchMOS Transistor

- ’Trench’ technology
- VDSS = 30 V
- Low on-state resistance Rds<=100mOhm
- Fast switching
- ID = 6 A
- High thermal cycling performance
- Low thermal resistance

Datenblatt: BSP100.pdf